آی‌بی‌ام خبر از تولید تراشه ۵ نانومتری بر پایه‌ی استاندارد جدیدی داده است که به‌موجب آن با استاندارد FinFET خداحافظی خواهد شد. در این فرایند از ساختار جدیدی با یک پشته شامل چهار صفحه نانو استفاده می‌شود تا ۳۰ میلیارد ترانزیستور در تراشه‌ای به ابعاد یک بند انگشت جای بگیرند. این بدین معنی است که تراشه‌های فوق‌العاده قدرتمند از نظر پردازشی و در ابعاد بسیار کوچک تولید خواهد شد. همواره کوچک کردن لیتوگرافی به معنی بهره‌وری بالاتر و مصرف انرژی کمتر در معماری یکسان است و با فناوری جدید آی‌بی‌ام می‌توان با افزایش قدرت پردازشی، مصرف انرژی را نیز پایین نگاه داشت.
قانون مور در دهه‌ی ۱۹۷۰ این‌گونه بیان شد که هر دو سال تعداد ترانزیستورهای یک تراشه می‌تواند دو برابر شود. اما این قانون طی سال‌های اخیر به‌موجب محدودیت‌های فیزیکی سیلیکون با مشکل روبه‌رو شده و سرعت افزایش ترانزیستورها در تراشه‌ها کند شده است. در حال حاضر در بازار تجهیزات تجاریِ مخصوص مصرف‌کننده، تراشه‌های ۱۴ نانومتری به‌صورت گسترده استفاده می‌شوند. البته اینتل و سامسونگ روی به تولید تراشه‌های ۱۰ نانومتری آورده‌اند تا از رقبای خود پیشی بگیرند.
